1. MOSFET結(jié)構(gòu)
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分為N溝道NMOS和P溝道PMOS。
下圖為NMOS的結(jié)構(gòu)圖：
2. MOSFET符號(hào)
NMOS的符號(hào)圖如下所示：
PMOS的符號(hào)如下圖所示：
3. MOSFET的特性曲線(xiàn)
下面以NMOS為例，介紹MOSFET的特性曲線(xiàn)，下圖為NMOS放大電路示意圖：
在可變電阻區(qū)，負(fù)載電流iD隨著UGS成非線(xiàn)性關(guān)系，同時(shí)受輸出電壓UD的影響；
在恒流區(qū)，負(fù)載電流iD隨UGS的增加而增加，且不隨輸出電壓UD的變化而變化；
在夾斷區(qū)，負(fù)載電流iD基本為0。
4.MOSFET開(kāi)關(guān)特性
當(dāng)柵極G和源極S之間的電壓VGS小于VGS(th)時(shí)，由于漏極D和源極S之間有一個(gè)反向PN結(jié)截止，所以漏極電壓等于VGS；
當(dāng)柵極G和源極S之間的電壓VGS大于2VGS(th)時(shí)，P型襯底的自由電子被吸引到兩個(gè)N溝道之間，當(dāng)濃度達(dá)到一定程度，兩N溝道被連接起來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。此時(shí)VGS為地電平(實(shí)際電路中，漏極D與電源之間有負(fù)載)。
這樣就可以通過(guò)控制VGS的高低，實(shí)現(xiàn)NMOS開(kāi)關(guān)電路。
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